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SiGe, High-Linearity, 2300MHz to 4000MHz
Upconversion/Downconversion Mixer with LO Buffer
Typical Operating Characteristics (continued)
( Typical Application Circuit with tuning elements outlined in Table 1, Downconverter Mode, V CC = 3.3V, f RF = 3000MHz to
4000MHz, LO is low-side injected for a 300MHz IF, P RF = 0dBm, P LO = 0dBm, T C = +25 N C, unless otherwise noted.)
-10
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
-10
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
-10
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
T C = -40°C
T C = +25°C
-20
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-20
-30
-40
T C = +85°C
-30
-40
-30
-40
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
2700
2900
3100
3300
3500
3700
2700
2900
3100
3300
3500
3700
2700
2900
3100
3300
3500
3700
60
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.3V
60
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.3V
60
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
50
40
T C = +85°C
50
40
50
40
30
T C = -40°C
T C = +25°C
30
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
30
V CC = 3.0V, 3.3V,3.6V
20
20
20
3000
3200
3400
3600
3800
4000
3000
3200
3400
3600
3800
4000
3000
3200
3400
3600
3800
4000
-20
-30
-40
-50
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
T C = -40°C, +25°C, +85°C
-20
-30
-40
-50
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-20
-30
-40
-50
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
2500
3000
3500
4000
2500
3000
3500
4000
2500
3000
3500
4000
LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
16
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